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本网讯  10月21日，华磊光电博士后科研工作站梁萌博士的出站答辩会议在北京中科院半导体研究所举行。中科院半导体照明研发中心主任王军喜研究员、副主任伊晓燕研究员等5位评审专家出席了答辩会，半导体所研究生部主任祝素娜主持答辩，华磊光电公司总工程师季辉、副总工程师苗振林参加了会议。

梁萌博士在博士后科研工作期间，利用华磊光电公司的mocvd外延设备，以石墨烯等二维材料为缓冲层在石英等多种衬底上进行氮化物材料外延，开展了石墨烯缓冲层上的成核机理研究和工艺探索，取得了多项技术创新成果：通过石墨烯缓冲层技术，在非晶衬底上实现了高质量氮化物纳米柱生长；在非晶衬底上实现了氮化物薄膜生长，率先采用mocvd在非晶衬底上成功实现了平面量子阱结构，内量子效率达到48%，查新结果表明，该参数为国际最高水平。

梁萌博士的研究工作具有重要的科学价值，有望成为氮化物制备的颠覆性技术，在大尺寸低成本材料制备、柔性发光显示等领域具有广阔的应用前景。经答辩委员会评审专家无记名投票，一致通过梁萌的博士后出站答辩。